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AMD六核再降宜入手 内存节前疯涨
[ 编辑:qiraosky | 时间:2012-06-13 22:00:06
| 浏览:257次 | 来源:德州电脑服务网 | 作者:德州电脑服务网 ]
Intel方面，今天酷睿i3 2105盒装版处理器价格下调10元，报收于810元。这款处理器为双核心四线程产品，标准LGA1155接口，32nm制程，主频为3.1GHz，三级缓存为3MB，搭载了高规格的Intel HD Graphics 3000核芯显卡。 新闻方面，Intel三季度全球微处理器市场份额增至83.7%。 根据科技调研公司IHS发布的最新报告，按营收计算，英特尔三季度全球微处理器市场份额达到83.7%，同比增幅创新纪录，继续扩大对竞争对手AMD的领先优势。IHS表示，尽管英特尔发布预警称四季度营收将低于预期，但是他们仍将在今年继续扩大其在全球半导体市场的领先优势。 报告显示，按营收计算，英特尔三季度全球微处理器市场份额为83.7%，相比去年同期的80.9%上升了2.8个百分点，也高于二季度的82.5%份额。AMD三季度份额为10.2%，低于去年同期的11.45%和二季度的10.53%。 “媒体平板电脑的热销对于英特尔来说喜忧参半，一方面，它损害了英特尔的上网本微处理器业务;但另一方面，它又提升了英特尔用于支撑云计算服务的数据中心芯片销量。”IHS计算平台研究首席分析师马修?威尔金斯(Matthew Wilkins)表示。 IHS称，英特尔三季度表现将好于整体市场表现，主要源于其针对消费级、企业级微处理器业务的广泛产品线。英特尔的Atom处理器主要用于上网本电脑，由于消费者转向平板电脑设备，上网本需求的下滑对英特尔的微处理器业务造成了损害。英特尔称，今年三季度其Atom处理器和芯片组营收同比下降32%。 AMD方面，今天市场中价格走势平稳，仅有羿龙II X6 1090T盒装版降10元，报收于1190元。这款处理器为原生六核心设计，频率高达3.2GHz，此外由于是黑盒产品，没有锁定倍频，超频潜力也很大。 新闻方面，最新消息：AMD推土机版羿龙IIX8将发布。 虽然在推土机架构FX发布后，AMD并没有宣布对于Athlon/Phenom品牌的态度，不过近日精英和捷波两家厂商部分主板的CPU支持列表或许能说明一些问题：在更新中赫然出现了Phenom II X8系列CPU。 精英官网中A890GXM-A2(V2.0)中CPU更新列表出现了以下新的Phenon II X8处理器： ―ZD242046W8K43，AMD Phenom II X8 2420，频率2.40GHz，TDP 95W ―ZD302051W8K44，AMD Phenom II X8 3020，频率3.00GHz，TDP 125W ―ZD252046W6443，AMD Phenom II X6 2520，频率2.50GHz，TDP 95W ―ZD282046W6K43，AMD Phenom II X6 2820，频率2.80GHz，TDP 95W 新羿龙II X8处理器具有高主频、低功耗的设计，全新的八核处理器和六核处理器来世凶凶，将继承羿龙II处理器强劲游戏性能。 内存方面，由于经销商进货价格上涨，今天市场中金士泰2G DDR2 800上调15元，报收于145元。不过市场中其他品牌没有受到影响跟风上涨。 新闻方面，库存稳步上升，DRAM产业继续下滑。 据IHSiSuppli公司的DRAM市场简报，需求增长乏力和增长前景黯淡，已在困扰DRAM产业，如今又面临库存急剧上升的问题。库存劲增可能导致DRAM产业继续下滑。 第三季度IHSiSuppliDRAM库存指数为12.75周，如图2所示。这比第二季度的9.8周激增了30.8%，是2010年第一季度6.1周的两倍以上。该库存指数在2010年第一季度降至近期低位。第三季度库存指数也明显高于9.23周的长期平均水平。 DRAM库存指数用于衡量每个季度末的库存金额相对于当季销售额的情况。该指数统计的是内存供应商自身所持有的DRAM库存，而不是DRAM买家的库存。该库存指数上升，意味着DARM生产商持有更多库存，将对芯片价格构成向下压力。 目前的库存状况令DRAM产业雪上加霜。DRAM产业形势稳步恶化，面临多种不利因素，包括全球需求低迷、新应用需要的DRAM较少、新操作系统不像以前那样需要更多的DRAM。许多DRAM厂商面临财务困难，使其难以投资采用成本效益更高并可能改善其利润率的工艺。采用最先进工艺生产的新型芯片，利润率高于新生产的上代芯片或者库存中的芯片。由于利润已经非常微薄甚至是负利润，这种差异变得更加突出。 硬盘方面，总的看来价格仍旧在缓慢回调，今天市场中西数1TB串口硬盘降10元，报收于750元。希捷和日立价格走势平稳。 新闻方面，美光表示20nm闪存的SSD耐久度没问题。 对于此前Intel与美光已经开始初步应用的20nm制程工艺，业界普遍担心制程进步会带来NAND闪存读写寿命的缩短。不过美光高管近日出面表态称20nm制程由于应用HKMG工艺使得耐久度和25nm产品基本持平。 在近期面向分析师的一次财务会议上，美光CFO Ronald Foster表示，作为此前多用于CPU和显卡上的制程工艺，HKMG对于支撑闪存读写寿命是必要的，目前Intel和美光认为20nm制程的闪存长期读写寿命不会出现什么问题。 本月早期Intel与美光的闪存合资机构IMFT正式宣布开始试产世界首个20nm制程128Gb闪存颗粒，应用这一产品，128GB的SSD只需单芯片封装就可制造。该产品的目标面向下一代容量高达1TB的SSD，以及智能手机和平板电脑等。（来源：走进中关村） |
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