|
TOP
三星开发1.25V超低压DDR3内存
[ 编辑:qiraosky | 时间:2014-07-24 14:11:36
| 浏览:221次 | 来源:德州电脑服务网 | 作者:德州电脑服务网 ]
三星电子今天宣布已经成功开发出电压只有1.25V的绿色版DDR3RDIMM内存条，而标准版DDR3的电压为1.5V，低压版也有1.35V。 即使是正在开发之中的下代内存标准DDR4，其预期电压也不过1.2V。 三星这种超低压内存条使用了30nm级别工艺的内存颗粒，单颗容量4Gb(512MB)，运行频率最高1333MHz。如果是一条16GB容量的，整体功耗将只有3.7W，相比于同等工艺、同等容量的1.35V低压版可省电大约15％，对比40nm工艺、2Gb颗粒的更是可以省下60％之多。 三星计划在通过OEM厂商认证后开始量产，整条容量有4GB、8GB、16GB三种版本，并预计明年开始大规模进驻数据中心和企业服务器系统，尤其是那些需要超低功耗服务器的地方。 |
热门文章
|
