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台积电首推MID平板芯片新工艺
[ 编辑:qiraosky | 时间:2020-06-12 21:34:30
| 浏览:88次 | 来源:德州电脑服务网 | 作者:德州电脑服务网 ]
台积电在近日举行的台积电2015技术研讨会上推出了业界首个专为智能手机、平板电脑芯片优化的制程工艺。 台积电研发部高级副总裁蒋尚义(Shang-Yi Chiang)表示，新制程技术隶属于28纳米工艺，名为28HPM(高性能移动制程工艺)，专为智能机、平板电脑及其相关产品的芯片设计。 台积电新制程工艺可能是为苹果产品而设计，此前有传闻称台积电将为苹果代工下一代A5处理器芯片。除苹果外，台积电还可能将新工艺用于智能机和平板电脑领域的其他厂商产品，比如英伟达、高通。当被问及28HPM工艺是否专为单一客户而设计时，蒋尚义表示新工艺适用于基于ARM架构的处理器芯片。 台积电目前拥有3种28纳米制程工艺：第一种是基于硅氧化物栅层叠(gate-stack)技术的低功耗CLN28LP工艺；另外两种则是基于第一代HKMG(high-k绝缘层+金属栅极)工艺技术，一个是低功耗CLN28HPL工艺，另外一种是高性能CLN28HP工艺。 蒋尚义称，台积电的HKMG技术已经通过了完全可能性认证，并正向两家客户出货晶圆原型品。他还否认了业界关于台积电28纳米技术延期的报道，蒋尚义说：“我们没有耽误任一客户。” 在进入20纳米工艺之前，台积电还将推出另外一种28纳米工艺CLN28HPM。新工艺同样基于第一代HKMG技术，它可使得应用处理器和相关产品的主频远高于1.8GHz(功耗440毫瓦)。 和其它28纳米工艺一样，CLN28HPM核心电压在0.9伏，可支持1.8伏、2.5伏的I/O电压，将于今年四季度量产。台积电还再次提到了此前宣布的几种20纳米制程，这包括CLN20G(20纳米通用制程)和CLN20SOC，它们均基于台积电HKMG制程，其中CLN20G定于2016年第四季度试产，而CLN20SOC则定于2017年第二季度试产。 |
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