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分析：内存暴降与闪存业界新格局
[ 编辑:qiraosky | 时间:2021-08-09 13:01:43
| 浏览:130次 | 来源:德州电脑服务网 | 作者:德州电脑服务网 ]
上周内存和闪存市场综述 DRAM方面，上周现货市场依旧呈现停滞，整体价格持续下滑，一周来整体跌幅约2%-4%；纵观一周来走势，其中DDR2 1Gb 800MHz跌幅最重，单周下跌逾5%，周四收市价跌破1.5美元，至1.48美元，为2013年8月中以来低位；而DDR3现货价同样低迷，其中DDR3 2Gb 1333MHz及DDR3 1Gb 1333MHz一周来分别下跌4.72%及2.86%，周四收市价分别为2.42美元及1.36美元，其中DDR3 1Gb 1333MHz已跌至2013年6月开始报价以来最低。整体市场在供应端卖压沉重下，价格持续向下修正，交易量清淡。另外，合约价方面，11月上旬 DDR2 1Gb及DDR3 1Gb颗粒合约价均跌至1.41美元，下跌7.97%；DDR3 2Gb模组也跌至25美元，跌幅7.41%。预估本季DRAM价格跌幅恐逾30%。 而NAND Flash市场因需求集中于16Gb MLC及8Gb MLC，价格呈现小幅上扬，一周来涨幅分别为1.08%及3.61%，64Gb MLC也有1.09%的涨幅；而SLC规格同样涨跌互见，其中2Gb SLC及4Gb SLC一周来分别上涨0.45%及0.32%，而1Gb SLC则下跌0.64%。市场在三星旧制程颗粒需求力道强劲因素带动下，将有助于支撑价格。 合约价方面，11月上旬最新合约价中显示，8Gb MLC及16Gb MLC分别下跌9.44%及7.14%，价格分别为3.26美元及3.38美元，32Gb MLC也跌至4.93美元，下跌4.64%；而32Gb TLC合约价则跌至3.94美元，下跌1.99%。近期在市场在客户需求逐步回温的带动下，预期NAND Flash价格将可望逐渐回稳。 内存暴降，就连中关村市场中的JS也惊呼：真便宜！但是这价格并非是内存的底价，欲知内存业界详情，且看下文深度报道…… 2014：上半年DRAM模组厂市占率点评 2014年上半年DRAM模组厂的排名出炉，金士顿拿下45.8%的市占率，蝉联龙头地位，台湾的威刚以7.6%位居第二，也是前五名当中唯一台系DRAM模组厂。 根据市场研究机构iSuppli所公布之2014年上半年独立记忆体模组制造商排名中，金士顿的记忆体模组总营收达25.62亿美元，囊括了45.8%的市占率，稳居龙头地位。第二名为威刚，上半年的记忆体模组营收为4.23亿美元，市占率7.6%，与第一名落差甚大。 接下来的第三名到第五名分别为Ramaxel(深圳记忆科技)、Crucial(美光自有品牌)、Smart Modular(加拿大厂商)，营业额分别为3.92亿美元、3.3亿美元、3.26亿美元，市占率为7%、5.9%、5.8%，而其余的记忆体模组厂上半年的营收总和为15.62亿元，市占率27.9%。 三星2015下半年推20nm DRAM 三星电子2015年将致力于提升DRAM内存半导体制程技术水平，再拉大与其他竞争厂商间差距。三星半导体事业部专务赵南成表示， 2014年采用30纳米级制程制造DRAM，2015年上半计划推出采用20纳米级制程的内存芯片产品。三星计划每年提升DRAM制程技术，维护业界领先地位。 20纳米后半制程并非采用极紫外线(EUV)这种次世代曝光方式，而是采用既有的浸润方式制作。纳米制程是将半导体电路线幅微缩至人类头发4,000分之1粗细的制造工程。半导体制程越是微细，可以大幅缩减半导体大小，在单一晶圆上生产的半导体数量可增加，或降低产品生产的费用。 三星计划于2015年下半推出的20纳米级制程DRAM产品，其量产性估计较30纳米级产品提高约60%。三星2013年率先量产40纳米级DRAM产品，接着2014年7月也领先业界首度投入30纳米制程量产作业。海力士(Hynix)目前则是以40纳米制程量产DRAM，并计划2015年初将投入30纳米制程产品量产。 日本尔必达和美国美光等排名第3、4名的半导体厂目前主要以50纳米级制程量产DRAM产品，并正准备转换为40纳米制程。以DRAM制程技术为基础，三星2014年第3季在DRAM市场上首度将市占率拉抬至40%以上。 三星若能依照订定的目标，于2015年下半推出20纳米级制程DRAM产品，无论是在南韩境内或海外，与其他竞争公司的技术能力将有明显差距，在DRAM市场上也将出现三星独大的情况。 三星掌门李健熙儿子当总裁 据韩联社报道，三星电子董事长李健熙周三表示，在年底的人士改组中将把儿子李在?(Lee Jae Yong)提拔为公司总裁。观察者认为这标志着李健熙挑选接班人一事又向前推进一步。去年42岁的李在?晋升一级，由三星电子高级副总裁升为首席运营官。 日前李健熙前来中国参加亚运会，17日返回韩国，在金浦机场时他确定地说，自己的儿子李在?会在年底晋升。当时记者问李健熙是否决定提拔自己的儿子，李健熙说：“是的”。 为了培养自己的儿子，李健熙早在1991年就将李在?带进了三星。不久前，李健熙向自己的儿子低价出售Samsung Everland Ltd公司的可转债，而Samsung Everland Ltd公司是三星集团的实际控制公司，此举涉嫌违法转移管理控制权；去年5月法院对此正式宣判，李健熙无罪。 今年三月，李健熙重新返回三星管理层，他现年68岁，2012年中他因为漏税案而被迫下台。 上个月，李健熙曾说为了适应快速变化的环境，要向三星各组织输入年轻的血液，这暗示今年底的人事改组力度会比预期的大。 目前三星电子由崔志成(Choi Gee-Sung)管理，他于去年被任命为CEO，在升任之前崔志成担任三星消费电子和手机部门主管。 三星电子是世界最大的液晶显示屏生产商，也是全球第二大手机制造商。今年三季度，三星电子净利39.1亿美元，比一年前增长17.1%，这主要是受益于半导体和智能手机业务的红火。上一个季度三星电子的销售额同比上升级12.1%，达创纪录的40.23万亿韩元，运营利润上升了15.2%，达 4.86万亿韩元。 李健熙认为明年的业务条件不会太好，集团将为增加利润而努力。 分析：DRAM明年初价格触底 即将明显复苏 受到个人电脑晶片价格不断下滑的拖累，晶片制造商股价已低迷了好一阵子。然而，随着愈来愈多厂商将产能转移至生产手机晶片后，分析师认为情况将在未来数月出现好转。DRAM明年初价格触底2015年即将明显复苏。近日来 DRAM 价格下滑的速度较原先预期更快，因此预期明年第 1 季初期产业就会触底。低廉的记忆体晶片价格将促使电脑制造商增加记忆体容量，此外，由于厂商逐渐将部份产能转移至生产手机晶片，短期内电脑晶片也不会有供给继续增加之虞。 晶片价格走低将迫使财务体质较弱的次级厂商减产。而下一波需求回温若再伴随着某些厂商减产，复苏的幅度将更明显。本月初，日本 DRAM 制造商尔必达已率先宣布减产 30%。今年以来亚洲晶片制造商股价大幅受到压抑，其中又以台湾的华亚科、南科与日本尔必达最为明显，跌幅都在 40-50% 左右。但是韩国晶片厂商三星与海力士，股价却与去年底相去不远。 集显当道：显存市场格局生变 据iSuppli公司，由于市场不再特别推崇专用显卡解决方案，而是越来越倾向于把图形功能集成到电脑的CPU之中，显存市场的局面发生变化。显存市场向来是竞争的热门领域。 显存是DRAM市场中的一个专门领域，预计明年初只会略有增长，尽管与波动剧烈的商品内存市场相对隔绝。iSuppli公司的数据显示，2015年第一季度显存将占总体内存市场的5%，高于2014年第三及第四季度的4.9%。 虽然预计明年大多数时间将保持增长，但2015年第四季度将开始稳步小幅下滑。到2018年，显存市场占总体内存市场的份额将再下降0.5个百分点，降到4.4%左右，如下图所示。 这些数据反映出该领域令人质疑的黯淡前景。iSuppli公司的研究显示，虽然显存价格仍然高于商品DRAM，而且需求也比较稳定，但未来预计不会有太大的增长。由于制造趋势青睐把图形处理单元(GPU)集成到电脑的中央处理器之中，未来几年显存需求将走下坡路。GPU是一种处理器，用于显示2D或3D图像。 当然，沉浸式游戏，以及需要高端显存和出色性能的类似活动，仍将需要专用视频卡呈现震撼性高端图像。然而，对于多数PC用户来说，集成解决方案的性能可以满足一切应用。iSuppli公司警告，这将影响显存市场。集成解决方案，就是把图像功能嵌入主板，并使用电脑的系统内存。 集显当道：大逆转 舍弃专用方案 考虑到显存市场令人心动的利润率，以及各厂商为了获得一席之地而付出的巨大努力，该市场趋于平淡令人意外。 例如，位于美国爱达荷州的美光开发一种显存产品已有时日，还聘用了德国奇梦达的主要高管。现在奇梦达已经破产，它的市场份额曾匹敌业内领先厂商三星电子。奇梦达破产，使韩国海力士半导体受益，后者迅速补上了奇梦达留下的空白，现在已成为三星电子的主要对手。 另一家厂商，日本的尔必达记忆体，开始生产专门用于显卡的内存技术，即GDDR3和GDDR5。尔必达现在的市场份额或许很小，但它进入这个领域可能掀起波澜。随着更多的厂商进入显存市场，三星和海力士很可能被迫向尔必达和其它新来者让出一些市场份额。 总体来看，预计显存市场将继续按订单生产，价格主要取决于制造成本，而不是整体供需情况。虽然游戏机厂商和高端显卡将继续需要显存，但集成度更高的产品的出现，可能威胁到GPU市场。 尤其是，业内厂商正在关注英特尔的动向。英特尔明年将推出Sandy Bridge平台，面向集成显卡，但性能将媲美低端独立显卡。iSuppli公司认为，此举可能进一步改变显存市场的形态。 USB 3.0闪盘：单芯片成主流 USB 3.0商机正快速从外接式硬盘盒和闪盘领域切入，目前USB 3.0闪盘芯片解决方案多采用2颗芯片，包含SATA／NAND Flash芯片和SATA／USB 3.0芯片，但成本太高，随着威锋、银灿、智微等厂商陆续推出单芯片解决方案后，预计2015年第1季USB 3.0闪盘单芯片将跃上主流，有助于内存模块厂炒热USB 3.0商机。 内存厂商表示，在USB 2.0闪盘时代，控制芯片和NAND Flash芯片是直接包在一起，但到了USB 3.0时代，由于单芯片解决方案还未成熟， 目前市面上所推出USB 3.0闪盘产品，几乎都是用2颗芯片解决方案，像是采用智微SATA／NAND Flash芯片，加上1颗创惟SATA／USB 3.0芯片。 芯片厂商表示，相较于用2颗芯片解决方案成本达5美元，单芯片价格可压低至2至3美元，未来对于内存模块厂推USB 3.0闪盘产品，将相当具吸引力，由于用2颗芯片体积较大、散热差，且要附加其它零组件来做链接，整体成本会比用单芯片解决方案贵许多。 目前推出单芯片解决方案厂商有威锋、银灿等，其中，威锋系采4-Channel架构USB 3.0单芯片，传输速度快，针对高容量USB 3.0闪盘设计，目前大部分USB 3.0厂商都是先推4-Channel架构产品，再推2-Channel架构芯片；银灿则是直接主攻2-Channel架构芯片，在大陆市场表现不错。 此外，台厂在USB 3.0 Host和Hub芯片亦缠斗激烈，USB 3.0 Host芯片前2张USB-IF协会认证门票，分别由瑞萨和睿思拿下，2015年威锋、祥硕、钰创等要再战一回，看谁能抢下第3张USB-IF协会Logo门票。在USB 3.0 Hub芯片上，祥硕和威锋速度相当快，日前威锋已打入主板厂技嘉供应链，未来出货范围将扩大至其他主板厂商。 模块厂认为，若USB 3.0 Host端导入速度能快一点，加上USB 3.0芯片设计厂商力拱单芯片解决方案，取代现行2颗芯片解决方案，有助于大幅降低成本，希望沈寂已久的闪盘市场，2015年能受惠于USB 3.0商机再度炒热市场。 USB 3.0厂商则表示，目前大部分模块厂如金士顿、创见、威刚等，都在认证USB 3.0单芯片解决方案，预计大量转换时间点会在2015年第1季，届时有助于终端产品价格续降，促进普及率。 快要过剩？2014年NAND闪存营收将创新高 据iSuppli公司，由于智能手机以及平板电脑的使用量增加，2014年全球NAND闪存营业收入将达到最高纪录。 预计2014年NAND闪存营业收入将达到187亿美元，比去年的135亿美元劲增38%，部分利益于智能手机和苹果iPad等消费电子产品的使用量增加。由于今年下半年和明年供需双双增长，2015年NAND闪存市场将继续增长，尽管不及今年强劲。iSuppli公司的数据显示，预计明年NAND闪存市场上升25%至225亿美元。 与此同时，NAND闪存的比特出货量预计2014年大增71%至100亿GB，这在很大程度上缘于尺寸缩小和3-bit-per-cell TLC闪存的生产。 但在未来两年，预计平均销售价格(ASP)将温和下跌23-29%。此外，iSuppli公司警告，2015年以后可能面临供应过剩的问题，而2016年下滑的风险很大。鉴于目前的乐观展望， 该产业可能的NAND产量增长速度可能超过实际需求，从而导致供应过剩并随之引起市场下滑。 随着制造活动在11月开始放缓，以及高性能嵌入NAND等领域的需求在假日季节之后全面减速，预计第四季度市场将出现一些动荡。总体来看，2016年NAND闪存营业收入将略有下降，2017年上升，然后在2018年再度回落。 除了潜在的供应过剩，供应商增加资本支出也令人担忧，这与是产业乐观气氛高涨的结果。iSuppli公司的数据显示，2015年资本支出将达到创纪录的16亿美元。 三星、东芝和英特尔－美光合资企业IMFT计划兴建的工厂，明年将使产量再增加70%，供应过剩的风险很高。iSuppli公司提醒，除非供应商谨慎地根据需求来管理生产，否则明年的新增产能将导致该市场急速下坠。 平板电脑带来闪存新的增长机会 在消费电子产品市场，智能手机对NAND闪存的需求保持良好，而平板电脑则是这种闪存的最新增长领域。 iSuppli公司认为，平板电脑热衷于使用NAND闪存，与两年前上网本的情况类似，但由于平板电脑中闪存平均密度较高，所以该领域的NAND闪存应用规模更大。根据预测，2015年平板电脑消费的NAND闪存将从2014年的4.28亿GB增长到17亿GB。 总体来看，iPad中的平均NAND闪存密度在所有平板电脑产品中最高，预计2016年达到52.5GB。预计苹果将统治平板电脑市场一段时间，加之第四季度主要品牌将推出30多个 平板电脑产品，这都预示NAND闪存市场将持续受益。 但iSuppli公司警告，由于产业将在年底前转向2X-纳米和更先进的半导体制程，所以供应商需要保持谨慎。 随着制造商扩充产能方面的支出增加，以及新工厂的产量预计上升，供应商必须平衡两种需求：降低生产成本，以及增加NAND闪存供应。 如果今年下半年以及更长远的季节性需求不如预期强劲，则供应过剩和其它支出可能导致NAND闪存市场下沉，并走向衰退。否则的话，该市场本来会保持活力。 从ROM到NAND 移动设备储存架构革新 NAND Flash内存在行动产品上的应用其来已久，但相关储存媒体的技术发展在整个行动产品架构方面，往往都被摆到优先度较低的层级，也因为消费者对此架构改变的敏感度较低，导致硬件厂商在这方面的重视程度往往不如核心处理器。 但随着智能手机等行动应用产品对储存需求的抬头，从此起彼落的应用程序商店、影音应用，到个人资料储存，智能手机等行动终端对储存需求的拉抬，终于让硬件厂商逐渐了解此一环节的重要性。从容量、效能，到数据的保全，储存架构甚至可以决定1款智能手机的最终效能表现以及相关使用体验。 以高阶智能手机为例，其内建储存空间已经从过去以ROM为主流的的64MB、256MB，到现在转而以MLC NAND Flash内存为主的8至16GB，2015年甚至可看到32至64GB，为了让硬件厂商能够更容易管理如此庞大的储存空间，并改善整体读写性能，内存产业也规范了一系列可供依循的标准。 这类标准其实都基于类似的架构，就是把过去只依靠应用处理器本身的NAND Flash存取接口，转而透过独立控制器来对NAND Flash进行存取，如此可改善储存成本、效能以及储存可靠性。换句话说，虽然定义上使然，这些储存架构不能称为SSD，但此类泛SSD架构储存媒体早已经悄悄进入行动终端市场。 NAND Flash：模块厂投资封测厂策略泡沫化 NAND Flash大厂纷跨入闪存卡终端生产，小型记忆卡microSD几乎成为三星电子、东芝等大厂天下，加上SanDisk2014年亦跨入成卡供应行列，microSD市场已被NAND Flash大厂一手包办，目前模块厂几乎都直接向NAND Flash大厂采购成卡来卖，这亦让模块厂先前一窝蜂投资封测厂成为泡沫化。 内存厂商指出，记忆卡产业从SD大卡迈向手机用microSD规格后，封装方式亦由传统SMT生产线，变成COB(Chip on Board)片上封装技术，过去模块厂为使microSD供应链不受制于封装技术，并达到一条鞭布局记忆卡产业目的，掀起一股投资封测厂热潮，几乎每家模块厂都入股投资封测厂，例如群联、宇瞻、PNY投资群丰，创见入股典范，威刚亦与联电及京元电共同投资坤远，金士顿除力成之外，亦入股华泰。 然如今看来，模块厂投资封测厂策略几乎是全倒，由于microSD生产制造端已全部被NAND Flash大厂揽下来，原本只有三星和东芝直接供应microSD卡，2014年连原本只做自有品牌的SanDisk，亦跳下来供应microSD白牌记忆卡，模块厂被迫举双手投降，几乎所有microSD卡都直接向NAND Flash大厂采购。 目前台湾威刚、宇瞻、劲永等厂商microSD卡采购来源，都是以三星和SanDisk为主，金士顿主要向东芝采购，由于金士顿与SanDisk在品牌市场打得火热，加上SanDisk与模块厂NAND Flash侵权官司案，金士顿是唯一还没有达成和解的厂商，因此，双方短期内较难有合作关系。 另外，金士顿和东芝的microSD卡合作方式亦异于同业，虽然金士顿是直接向东芝采购microSD卡，但东芝microSD卡多数是委由金士顿旗下封测厂代工生产，显示双方合作紧密。 内存厂商表示，SanDisk是全球最大记忆卡品牌，加上SanDisk一向对NAND Flash专利和技术相当自豪，当记忆卡利润还很高时，从不考虑仿效三星跨足白牌生意，但过去2年经历NAND Flash价格崩盘洗礼，品牌记忆卡利润式微，SanDisk2014年策略大转弯，开始供应白牌记忆卡给模块厂。 事实上，目前许多模块厂都直接向SanDisk买成卡，这或许亦是台厂与SanDisk在NAND Flash侵权官司和解条件之一， 这种既是竞争对手、又是供货商的合作关系，实在相当微妙。 东芝关闭Fab 2 Flash生产将集中12英寸厂 东芝将在2014年12月底，关闭日本三重县四日市的Fab 2，将NAND Flash生产资源都投入2015年开始营运的Fab 5，并计划在2015年开始将系统LSI芯片业务委外代工；不过内存厂商表示，由于Fab 2是8英寸晶圆厂，这2年贡献NAND Flash产能比重已相当少，东芝都将重心放在12英寸晶圆厂身上，因此Fab 2的关闭并不会影响NAND Flash市场供需，反而是要提防三星电子和东芝2015年都扩产NAND Flash产能，要看应用端需求能否衔接上来。
东芝半导体事业的子公司社长小林清志接受外电专访时表示，将关闭旗下4座晶圆厂中的Fab 2，预计2014年12月底前会停止营运，未来生产资源将会放在较新的厂房Fab 4，以及2014年兴建、2015年即将完工的Fab 5。 内存厂商指出，Fab 2是老旧的8英寸晶圆厂，虽然外? q表示此座厂房仍在生产NAND Flash芯片，但随着东芝12英寸晶圆厂量产上轨道，Fab 2这2年对NAND Flash产能比重已相当少，不认为此座晶圆厂的关闭有助于逆转NAND Flash市场供需。 不过，下游厂商也指出，NAND Flash价格跌跌不休的局面，已逼近上游厂的生产成本，其实NAND Flash大厂也撑得很辛苦，市场共识是2015年第1季NAND Flash价格如果在起不来，一旦跌破上游厂的现金成本，NAND Flash产业恐将掀起一股减产潮，但如果龙头厂三星不跟进减产，逆转市场供需的机率不大，恐要等到终端需求大幅出笼来刺激。 目前全球NAND Flash市占率中，三星的市占率有再度重回40%大关的希望，东芝则紧跟在后，2者相距不到5个百分点；追在后面的美光(Micron)、海力士(Hynix)、英特尔(Intel)等，市占率都不足以撼动NAND Flash双雄，目前在NAND Flash产业中，显而易见的是三星与东芝间的殊死战。 三星预计于2015年初完工的华城厂16产线将优先生产NAND Flash芯片，而东芝和SanDisk合资的Fab 5过去因为金融风暴而延宕扩产，今年好不容宣布要回复兴建，预计明年投入量产，在2大NAND Flash厂都有新厂房要加入战局的情况下，2015年NAND Flash市场会相当热闹。 |
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